Перейти на сайт МАИ Ссылки Карта сайта English version Главная Кафедра Обучение Наука Форум
Неизвестно
Лаборатория цикла электроники


Лаборатории расположены:

Учебная лаборатория: аудитории 426, 428, 4306 (4 этаж, вход с третьего этажа напротив деканата)

Компьютерный класс: аудитория 2046 (2 этаж)


1. Ознакомление с лабораторными измерительными приборами и исследование свойств электронно-дырочного перехода.
Ознакомление с характериографом, снятие вольтамперных характеристик (ВАХ) диода.

2. Исследование характеристик электрического перехода металл-полупроводник и гетеропереходов.
Исследование вольтамперных характеристик переходов металл-полупроводник и гетеропереходов.

3. Исследование времени жизни носителей в полупроводниках.
Снятие временных зависимостей тока через р-n переход при подаче на него прямо-угольных импульсов напряжения разной полярности и определение времени жизни носителей.

4. Исследование излучения из электрических переходов.
Исследование ВАХ и яркостных характеристик при излучении светодиодов.

5. Исследование влияния входной мощности на группировку электронов.
Снятие зависимости мощности генерации клистрона он напряжения на радиаторе.

6. Исследование переходных процессов в электрических переходах.
Исследование формы тока через р-n переход при подаче на него прямоугольных импульсов напряжения различной полярности.

7. Ознакомление со свойствами и применением полупроводниковых диодов, исследование их характеристик и параметров.
Исследование ВАХ плоскостных и точечных диодов, стабилитрона и туннельного диода.

8. Исследование генераторных диодов Ганна и ЛПД.
Исследование ВАХ диода Ганна и зависимости частоты генерации и мощности от резонансных свойств СВЧ тракта.
    Скачать методические указания:   
ДГ-мех. PDF (150 K)    ДГ-мех. DjVu (55 K)
ДГ-электр. PDF (150 K)    ДГ-электр. DjVu (55 K)

9. Исследование характеристик и параметров биполярных транзисторов. Знакомство с работой простейших схем на биполярных транзисторах.
Исследование ВАХ биполярных транзисторов при включении их в схему с общей базой и общим эмиттером, расчет основных параметров транзисторов.
    Скачать методические указания:    PDF (420 K)    DjVu (125 K)

10. Исследование характеристик и параметров полевых транзисторов. Знакомство с работой простейших схем на полевых транзисторах.
Исследование характеристик полевых транзисторов с р- и n- каналами, расчет основных параметров транзисторов.
    Скачать методические указания:    PDF (395 K)    DjVu (65 K)

11. Исследование топологии интегральных микросхем.
Определение по фотографиям ИС следующих параметров: коэффициент интеграции, особенности активных и пассивных элементов, восстановление электрической схемы ИС.

12. Исследование отражательного клистрона.
Исследование мощности генерации и расстройка частоты отражательного клистрона в зависимости от напряжения на отражателе и резонаторе.
    Скачать методические указания:    PDF (362 K)    DjVu (66 K)

13. Исследование лампы бегущей волны (ЛБВО).
Исследование амплитудной характеристики и характеристики взаимодействия ЛБВО, выявление параметров оптимального режима.
    Скачать методические указания:   
УВ-1 PDF (150 K)    УВ-1 DjVu (55 K)
УВ-23;45 PDF (150 K)    УВ-23;45 DjVu (55 K)

14. Исследование лампы обратной волны (ЛОВО).
Снятие характеристик P = f(U0) и f = g(U0) ЛОВО.

15. Исследование оптического квантового генератора.
Определение длины волны генерации гелий-ионового лазера, его поляризационной характеристики, направленности излучения, распределение интенсивности по диаметру луча и зависимости к.п.д. лазера от тока разряда.

16. Исследование многорезонаторного магнетрона.
Снятие семейства рабочих характеристик магнетрона, определение режима работы.

17. Исследование квантового генератора на основе смеси газов гелия и неона.
Исследования свойств лазерного излучения, а также основных параметров и характеристик гелий-неонового лазера, генерирующего непрерывное когерентное излучение в видимой красной части спектра.
    Скачать методические указания:    PDF (257 K)    DjVu (58 K)

18. Исследование оптронов.
Снятие и анализ передаточных и динамических характеристик различных оптронов.
    Скачать методические указания:    PDF (197 K)    DjVu (48 K)

19. Изучение статических характеристик p-n переходов.
Исследование статических характеристик и параметров идеализированной и модифицированной моделей p-n перехода.
    Скачать методические указания:    PDF (200 K)    DjVu (40 K)

20. «Изучение динамических характеристик p-n переходов.
Исследование импульсной характеристики и динамических параметров p-n перехода.
    Скачать методические указания:    PDF (210 K)    DjVu (40 K)

21. Исследование характеристик фотодиодов.
Исследование ВАХ фотодиода и параметров оптимального режима.
    Скачать методические указания:    PDF (200 K)    DjVu (63 K)

22. Исследование характеристик фоторезистора.
Изучение ВАХ фоторезистора, темновых и световых параметров.
    Скачать методические указания:    PDF (265 K)    DjVu (40 K)

23. Исследование характеристик фототранзисторов.
Изучение ВАХ составного фототранзистора, расчет основных параметров.
    Скачать методические указания:    PDF (200 K)    DjVu (52 K)


1. Исследование характеристик полупроводниковых диодов.
Исследование ВАХ плоскостных и точечных диодов, стабилитрона и туннельного диода.
    Скачать методические указания (кроме групп 04-219, 04-220):    PDF (156 K)    DjVu (37 K)
    Скачать методические указания (для групп 04-219, 04-220):    PDF (178 K)    DjVu (40 K)

2. Измерение эффективного времени жизни носителей зарядов в диодных структурах.
Определение временной зависимости тока через p-n переход при подаче на него прямоугольных импульсов напряжения разной полярности и определение времени жизни носителей.

3. Моделирование диодных структур.
Теоретическое и экспериментальное определение основных параметров модели диода: дифференциального сопротивления, сопротивления базы, диффузионной и барьерной емкости.

4. Изучение характеристик биполярного транзистора в схеме с общей базой.
Исследование ВАХ биполярных транзисторов при включении их в схему с общей базой, расчет основных параметров транзисторов.
    Скачать методические указания:    PDF (420 K)    DjVu (125 K)

5. Изучение характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
Исследование ВАХ биполярных транзисторов при включении их в схему с общим эмиттером, расчет основных параметров транзисторов.
    Скачать методические указания:    PDF (420 K)    DjVu (125 K)

6. Изучение характеристик полевого транзистора.
Исследование стоковых и стоко-затворных характеристик полевых транзисторов.
    Скачать методические указания:    PDF (395 K)    DjVu (65 K)

7. Изучение фото ПЗС.
Изучение характеристик фото ПЗС: неэффективности переноса заряда, свет-сигнальной характеристики, пороговых значений освещения при различных временах накопления зарядов.
    Скачать методические указания:    PDF (262 K)    DjVu (51 K)

8. Исследование характеристик фотодиодов и фототранзисторов.
Изучение характеристик и параметров фотодиодов и фототранзисторов.
    Скачать методические указания:    PDF (309 K)    DjVu (81 K)

9. Изучение топологии ИМС.
Изучение топологии основных элементов ИС: транзисторов, диодов, резисторов.


10. Изучение характеристик и моделей полупроводниковых диодов.
Изучение характеристик и моделей полупроводниковых диодов.
    Скачать методические указания:    PDF (273 K)    DjVu (63 K)
     Количество подписчиков рассылки «Новости кафедры теоретической радиотехники»           Adobe Acrobat Reader      Плагин DjVu     
Copyight © 2003-2010